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丹佛斯軟啟動(dòng)器MCD500—可控硅(SCR)損壞原因分析 
(發(fā)布日期:2012-5-28 15:58:27) 來(lái)源:
 
   
本文討論的是丹佛斯軟啟動(dòng)器可控硅(SCR)損壞故障的檢修過(guò)程和故障分析。供大家參考。
上海津信變頻器技術(shù)服務(wù)中心最近去現(xiàn)場(chǎng)維修一臺(tái)丹佛斯軟啟動(dòng)器MCD500,客戶反映是該軟啟動(dòng)器剛啟動(dòng),負(fù)載堵轉(zhuǎn),連續(xù)啟動(dòng)幾次,沒(méi)有啟動(dòng)成功,最后導(dǎo)致可控硅(SCR)損壞。
一:故障現(xiàn)象:
軟啟動(dòng)器可控硅損壞,前級(jí)保險(xiǎn)絲沒(méi)有損壞。
二:工況說(shuō)明:
現(xiàn)場(chǎng)接線:
根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)了解接線圖,我們可以看出,該軟啟動(dòng)器是一拖多臺(tái)電機(jī)啟動(dòng)。根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)了解的情況,該軟起啟動(dòng)好一臺(tái)電機(jī)后,在很短時(shí)間內(nèi)(大約10秒),啟動(dòng)另外一臺(tái)電機(jī)。
前級(jí)保險(xiǎn)絲:
上圖為客戶現(xiàn)場(chǎng)使用的保險(xiǎn)絲,為普通的保險(xiǎn)絲。根據(jù)丹佛斯VLT軟啟動(dòng)器MCD500操作手冊(cè)(MG.17.K2.41)P23頁(yè)上說(shuō)明,軟起動(dòng)器的主回路器件是可控硅,由于可控硅無(wú)自關(guān)斷能力,因此在發(fā)生短路的時(shí)候無(wú)法靠電子線路快速響應(yīng)關(guān)斷的辦法進(jìn)行短路保護(hù),必須采用半導(dǎo)體器件保護(hù)用快速熔斷器進(jìn)行短路保護(hù)。顯然使用該保險(xiǎn)絲不符合丹佛斯軟啟動(dòng)器的要求。
重新啟動(dòng)延時(shí)參數(shù)設(shè)置:
上圖為該軟啟動(dòng)器重新啟動(dòng)延時(shí)的參數(shù)設(shè)置,只有短短的10秒時(shí)間。根據(jù)丹佛斯VLT軟啟動(dòng)器MCD500操作手冊(cè)(MG.17.K2.41)P19頁(yè)上的說(shuō)明,MCD5-0360C軟啟動(dòng)器重新啟動(dòng)延時(shí)必須大于570秒。AC-53b:3-30:570。而客戶實(shí)際只設(shè)置了10秒。
 
故障原因分析:
根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)客戶的說(shuō)明,當(dāng)時(shí)軟啟動(dòng)器帶的電機(jī)出現(xiàn)堵轉(zhuǎn)現(xiàn)象,后來(lái)就發(fā)生了故障。排除了電機(jī)堵轉(zhuǎn)后,更換軟啟動(dòng)器,系統(tǒng)就運(yùn)行正常。
由于該軟啟動(dòng)器在啟動(dòng)過(guò)程中,電流是額定電流的3.5倍(參數(shù)1-4,1-5設(shè)置為350%,啟動(dòng)時(shí),可控硅的溫度在啟動(dòng)的短時(shí)間內(nèi)會(huì)快速上升,需要丹佛斯軟啟動(dòng)器操作說(shuō)明上要求的時(shí)間內(nèi)散熱,等溫度降低到正常值時(shí)才可以再次啟動(dòng)。因此,這次軟啟動(dòng)器損壞的原因就是頻繁啟動(dòng)導(dǎo)致。
 
解決方案:
1.      更換軟啟動(dòng)器的可控硅(SCR)
2.      為了保證軟啟動(dòng)器正常的散熱,將啟動(dòng)延時(shí)參數(shù)P2-11設(shè)置為600秒。
3.      將軟啟動(dòng)器前級(jí)的普通保險(xiǎn)絲更換為具有保護(hù)能力的快速熔斷器。
 
 
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