從國家發(fā)改委了解到，為推動節(jié)能降耗，促進(jìn)電力電子技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，國家發(fā)改委等有關(guān)部門將對安排補(bǔ)貼資金支持新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化。
　　隨著我國智能電網(wǎng)、高鐵建設(shè)、新能源汽車以及節(jié)能家電等市場的發(fā)展，對5英寸及6英寸晶閘管、IGCT(集成門極換流晶閘管)、IGBT(絕緣柵雙極晶體管)的需求量巨大。
　　2009年我國IGBT市場為53億元左右，而未來幾年隨著節(jié)能減排的推進(jìn)，IGBT市場規(guī)模將年增20%-30%。
　　但是，由于我國只有少數(shù)小功率IGBT的封裝線，還不具備研發(fā)、制造管芯的能力和大功率IGBT的封裝能力。因此目前國內(nèi)市場所需的高端電力電子器件主要依賴進(jìn)口，IGBT供應(yīng)主要控制在英飛凌、三菱、ABB、富士等外資巨頭手中，技術(shù)上長期受制于人。對此，國家發(fā)改委明確表示，2010年將支持金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）、IGCT、IGBT、超快恢復(fù)二極管（FRD）等量大面廣的新型電力電子芯片和器件的產(chǎn)業(yè)化。
　　據(jù)悉，國家發(fā)改委將組織實施新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專項，鼓勵符合條件的企業(yè)申請國家補(bǔ)貼資金支持。    

　　國家補(bǔ)貼資金主要用于項目的研究開發(fā)、購置研究開發(fā)及工程化所需的儀器設(shè)備、改善工藝設(shè)備和測試條件、建設(shè)產(chǎn)業(yè)化或工程化驗證成套裝置和試驗裝置、建設(shè)必要的配套基礎(chǔ)設(shè)施、購置必要的技術(shù)、軟件等。