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三項半導(dǎo)體新技術(shù)投入使用的時間將后延
(發(fā)布日期:2010-1-28) 來源: 慧聰電子網(wǎng)
 

    半導(dǎo)體技術(shù)市場權(quán)威分析公司ICInsights近日發(fā)布的報告顯示,按照他們的估計,450mm技術(shù)以及極紫外光刻技術(shù)(EUV)投入實用的時間點將再度后延。

    據(jù)ICInsights預(yù)計,基于450mm技術(shù)的芯片廠需要到2015-2016年左右才有望開始實用化建設(shè)--比預(yù)期的時間點后延了兩年左右。另外,預(yù)計16nm級別制程技術(shù)中也不會應(yīng)用EUV光刻技術(shù),這項技術(shù)會被后延到2015年,在13nm級別的工藝制程中投入實用。

    另外一項較新的半導(dǎo)體制造技術(shù),可用于制造3D堆疊式芯片的硅通孔技術(shù)(TSVs)也仍然處于萌芽狀態(tài),ICInsight公司的分析師TrevorYancey表示,此前外界似乎過高估計了這項技術(shù)的成熟度,目前這項技術(shù)要投入實用,還需要解決很多有關(guān)測試和成本方面的問題。

    這樣的分析結(jié)果意味著曾被人們寄予厚望的,能用來延續(xù)摩爾定律壽命的三項新技術(shù):450mm,EUV以及TSVs離投入實用還有一段時間。

    450mm技術(shù)實用化的后延并不令人感到意外,畢竟轉(zhuǎn)換到450mm技術(shù)需要大量的資金投入,而且眼下經(jīng)濟(jì)危機(jī)的陰云還沒有完全散去。據(jù)先前的報道,Intel,臺積電以及三星三家公司將各自在2012年前建成自己的450mm試驗用廠房。這幾家公司都希望能在32nm制程節(jié)點上采用450mm晶圓制出展示用樣品,并將在22nm制程節(jié)點上采用450mm晶圓進(jìn)行小量試產(chǎn)。不過也有人認(rèn)為450mm工廠永遠(yuǎn)也不會投入實用,他們認(rèn)為相關(guān)的研發(fā)費用實在是太高了。

    在最近舉辦的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)策略研討會上(ISS),有傳言稱芯片廠商已經(jīng)暫時放棄了建設(shè)450mm晶圓廠的計劃,并稱有關(guān)的計劃只有在15nm節(jié)點制程才有望得以實施。據(jù)業(yè)者猜測,經(jīng)濟(jì)危機(jī),缺乏設(shè)備制造廠商的有力支持應(yīng)該是造成計劃拖延的主要因素。

    EUV技術(shù)方面,由于在光阻膠以及光掩模板等方面仍有技術(shù)難題需要克服,因此投入實用的日期也將從原先預(yù)計的2013年16nm制程節(jié)點拖后到2015年左右的13nm制程節(jié)點。此前包括Intel和三星在內(nèi)多家廠商和半導(dǎo)體制造協(xié)會均表示,由于資金短缺,和EUV光掩模檢具的匱乏,因此EUV光刻技術(shù)的實施日期將后延一段時間

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