太陽能光伏發(fā)電蘊含巨大發(fā)展前景，而太陽能光伏板主要分為兩類：單晶/多晶硅及薄膜太陽能電池。以往，中國制造的太陽能光伏板主要是使用多晶硅。但在今年8月，國務(wù)院總理溫家寶發(fā)布緊急指令，重申需要減少多晶硅的生產(chǎn)。9月，國務(wù)院強(qiáng)調(diào)要抑制六大行業(yè)產(chǎn)能過剩的問題，其中包括多晶硅產(chǎn)業(yè)。因此有人懷疑，國家抑制多晶硅產(chǎn)業(yè)，是否也會同時制止太陽能的發(fā)展？

    事實上，國家發(fā)展太陽能新能源的目標(biāo)并沒有改變，只是提倡發(fā)展真正環(huán)保、低耗能的太陽能技術(shù)。多晶硅在提煉過程中需要使用千多度高溫才能完成，生產(chǎn)過程中消耗大量能源，而且造價相對昂貴。此外，多晶硅在生產(chǎn)過程中還會排放超過十種有毒物質(zhì)。據(jù)統(tǒng)計，2008年中國共享了3000萬噸煤炭提煉多晶硅，所產(chǎn)生的二氧化碳等空氣污染物非常之高，故這才是國家抑制多晶硅的真正原因。

    中國占全球光伏組件產(chǎn)量39％，是全球最大的生產(chǎn)國，但99％的產(chǎn)品都是出口外國，這表示中國正為國外太陽能發(fā)展承擔(dān)上環(huán)境污染的代價，強(qiáng)制減少多晶硅的產(chǎn)能可避免環(huán)境進(jìn)一步惡化。

    為降低成本及保護(hù)環(huán)境，非晶硅薄膜技術(shù)的需求正快速上升。生產(chǎn)多晶硅需要較多能源，而且能源回收期長達(dá)7年；非晶硅薄膜所采用的硅材料則少于多晶硅的1%，能源回收期亦只需要1.5年，無論是對環(huán)境的破壞，還是污染物的排放量均符合國家節(jié)能環(huán)保的要求。

    非晶硅薄膜是一種節(jié)能技術(shù)，但究竟有何優(yōu)勢呢？首先在轉(zhuǎn)換效能上，多晶硅因應(yīng)硅不可改變的物理特性，其最高效能為15%至16%；而非晶硅薄膜可透過沉淀不同化學(xué)特性的物質(zhì)于不同段層，以提升轉(zhuǎn)換效能可由6%提升至12%或更高，理論上最高更可達(dá)17.8％。其次，薄膜吸收較廣的陽光波長，在陰天或微弱陽光下運作亦較佳；相反，多晶硅的效能在較暗的情況下就會急速下降。因此，非晶硅薄膜在實際環(huán)境下的轉(zhuǎn)換效能比多晶硅高出10%以上。

    鉑陽精工（為鉑陽太陽能技術(shù)控股有限公司（香港主版上市公司編號：0566）所收購）的主席彭立斌對薄膜的優(yōu)勢也充滿信心：“最近，鉑陽成功設(shè)計及開發(fā)非晶硅/非晶硅鍺(a-Si/a-SiGe)雙結(jié)薄膜光伏組件制造用大規(guī)模生產(chǎn)線，根據(jù)信息產(chǎn)業(yè)部化學(xué)物理電源產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心及TUVSUD之測試結(jié)果，新生產(chǎn)技術(shù)生產(chǎn)之雙結(jié)薄膜光伏組件之初步轉(zhuǎn)換效率為9.7-9.8%，衰減后轉(zhuǎn)換效率預(yù)期為8%，較過往技術(shù)之6.5-7%顯著提升，預(yù)計2011-12年可達(dá)致的轉(zhuǎn)換效能將高達(dá)10％－11％。非晶硅薄膜的轉(zhuǎn)換效能雖然只及多晶硅的一半，但生產(chǎn)成本亦只有多晶硅的三分之一。多晶硅生產(chǎn)過程需要1100度高溫，不但耗能大，而且所帶來的污染問題亦十分嚴(yán)重。而非晶硅薄膜只需將氣體沉淀轉(zhuǎn)化成等離子附在玻璃上即可，生產(chǎn)過程只需200度低溫，可以一條龍式生產(chǎn)，消耗電能少，無污染，因此可以低成本大面積連續(xù)生產(chǎn)。公司亦因此吸引了IDG、DnBNOR及摩根大通等基金投資。”